中走丝割铝-小量程压力测量-仁光智能

中走丝割铝，纵观国内外关于小量程电容式压力传感器的报道，传感器的空腔间隙和可动极板厚度都很小；为了满足小量程压力测量对灵敏度和线性度的要求，在减薄压敏极板厚度的同时会相应缩小芯片尺寸。相关研究集中在传感器制备工艺的改良、传感器结构的创新以及测量电路的优化三个方面。

中走丝割铝，传感器工艺改良，工艺上控制超薄膜片的内应力很难。为了解决这个问题，多晶硅被选择用来作为小量程MEMS电容式压力传感器的可动极板材料。选用多晶硅有如下优点：

典型的多晶硅是通过LPCVD(低压化学气相淀积)形成的，淀积厚度可以控制得很小，很容易形成超薄的可动极板；

中走丝割铝，经过退火处理，多晶硅可以形成低应力的薄膜，削弱可动极板内应力对小量程测压的影响；掺杂之后的多晶硅导电，使压敏极板有固定电势，无需引入额外的电极。此外，薄膜淀积工艺与牺牲层释放工艺也被广泛用来制作间隙很小的空腔。在此基础之上，人们不断摸索，以求工艺的合理与简化。